第一類陶瓷介質(zhì)電容器（如C0G）的電容量在整個可以使用的頻率范圍內(nèi)基本上不隨頻率變化。

    Q值和諧振頻率是高頻/超高頻電容器用于諧振槽路時的重要指標(biāo)，性能優(yōu)異的高頻/超高頻電容器在這方面具有很好的表現(xiàn)，如“瓷谷”的C0G介質(zhì)的10pF一下電容量的超高頻陶瓷電容器，其Q值在400MHz以下可以達(dá)到1000以上，實(shí)際上這個Q值是隨頻率升高而下降的，可以用損耗因數(shù)隨頻率而增加來解釋。而當(dāng)頻率高到一定程度時，Q值將急劇下降（6.8pF的大約到1.5G以上后Q值開始急劇下降，這也和ESR隨頻率的上升而增加相一致。

    在這里“超高頻”主要指可以工作在超高頻，當(dāng)然也可以工作在超高頻以下的各個頻率。隨著電容量的增加特性左移。實(shí)際上，更大電容量在超高頻下討論將沒有意義，如1000pF的容抗在1GHz下僅0.318Ω，而25px引線的電感為10nH，與1000pF電容諧振的頻率約為50MHz，為1GHz的1/20，也就是說，1000pF的電容器用于諧振槽路，其諧振頻率一般不會超過50MHz，在1GHz的頻率下的用途大概只能是濾波或旁路，這時Q值也就沒有意義了。