任何一個(gè)安規(guī)電容器都有它自身的諧振頻率，即自身電容量與寄生電感形成串聯(lián)諧振的頻率。在相同封裝時(shí)，寄生電感基本相同，自然，電容量越大諧振頻率越低，而且封裝尺寸越小，諧振頻率越高。

    第一類安規(guī)陶瓷介質(zhì)電容器的ESR隨頻率而上升，隨著頻率的降低，ESR特性逐漸平緩。

    第一類介質(zhì)如C0G介質(zhì)電容器的ESR隨電容量的增加而減小，其原因是明顯的，隨著電容量的增加極板的面積也增加，在相同封裝條件下只能采取增加極板的層數(shù)獲得，由于每層極板的ESR基本相同，并聯(lián)的極板數(shù)增加，ESR必然減小。

    特性可以分為三部分：容性部分，諧振部分，感性部分。容性部分時(shí)電容器表現(xiàn)電容器特性，符合：Xc=（1π·C）-1，阻抗隨頻率的上升而下降，諧振部分時(shí)電容器寄生電感的感抗隨頻率增大到接近容抗的程度，由于感抗與容抗的符號(hào)正相反，因此，在這一頻段電容器的司機(jī)阻抗小于電容器的容抗，當(dāng)感抗等于容抗時(shí)，即諧振狀態(tài)，容抗被感抗抵消，僅剩ESR。隨著頻率的進(jìn)一步上升，感抗開始大于容抗，電容器開始逐漸表現(xiàn)為電感特性。

    第二類介質(zhì)電容器的阻抗頻率特性與第一類介質(zhì)電容器相似，特性也可以分為三部分：容性部分，諧振部分，感性部分。特性曲線的形狀也基本相同。與第一類介質(zhì)電容器不同的是，一般第二類介質(zhì)電容器的電容量遠(yuǎn)比第一類電容器的電容量大，特性曲線所在的頻段相對(duì)第一類介質(zhì)電容器低。如電容量為10nF電容器的諧振頻率約為50MHz，電容量為100nF電容器的諧振頻率下降到不到20MHz，電容量為10μF電容器的諧振頻率則降低到2MHz。

    與第一類介質(zhì)電容器相似，隨著電容量的增加，ESR也隨之降低。不同的事ESR的頻率特性有所變化，以X5R介質(zhì)的50V/10μF電容器為例，低頻率的增加而下降，大約到100kHz，在100kHz~1MHz范圍的ESR降低到最低值，1MHz以上的頻段ESR則隨頻率的上升而增加。