半導(dǎo)體瓷和高壓電容器陶瓷球的區(qū)別
半導(dǎo)體瓷
1.還原氧化型它是將高介電 常數(shù)基體(BaTiO)、(Sr, Ba) (Ti, Sn) O3等在還原氣氛中還原成半導(dǎo)體,然后在空氣中燒銀,陶瓷表面被氧化形成薄的絕緣層,薄絕緣層作為介質(zhì)也可獲得大的比體積電容,但由于用這種介質(zhì)所作的電容器的頻率特性不好,可靠性差,限制了它在高頻方面的應(yīng)用。
2.晶界層半導(dǎo)體瓷它是將高介電常數(shù)基體 (Ba, Sr) TiO3進(jìn)行施主摻雜改性并在還原或中性氣氛中還原,然后在還原的基體上涂覆金屬氧化物并在空氣中進(jìn)行熱處理,絕緣氧化物沿晶界擴散,使半導(dǎo)體晶粒表面氧化形成絕緣層。整個陶瓷體的介電常數(shù)達(dá)800左右,有的高達(dá)14000左右,大大提高了比體積電容。用晶界層半導(dǎo)體瓷為介質(zhì)所制得的電容器稱為晶界層電容器。它不僅具有高比體積電容,而且頻率特性優(yōu)異,可用于信訊機上作為數(shù)千兆赫的寬頻帶耦合電容,此外它的電容溫度系數(shù)小,絕緣電阻高,是性能最好的半導(dǎo)體電容器。此后又發(fā)現(xiàn)了性能更穩(wěn)定、電容溫度系數(shù)小的SrTiO3系半導(dǎo)體陶瓷電容器。
高壓電容器陶瓷球
BaTiO3 陶瓷材料雖具有高介, 但在高壓下使用, 介電常數(shù)隨電壓的變化較大。SrTiO3陶瓷的介電常數(shù)雖比BaTiO3陶瓷的低,但其絕緣性能卻好得多,而且其介電常數(shù)隨電壓變化為一10%心子20% (kV/mm)。 斷由已
這類高壓陶瓷電容器已廣泛應(yīng)用于電視機、 雷達(dá)高壓電路及避雷器、斷路器等方面,最近還成功地使用于脈沖氣體激光裝置的電源中,可使設(shè)備小型化、高性能化。