無機(jī)介質(zhì)電容器多半采用銀電極,半密封電容器在高溫條件下工作時,滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解.在陽極產(chǎn)生氧化反應(yīng),銀離子與氫氧根離子結(jié)合生成氫氧化銀.在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng)、氫氧化銀與氫離子反應(yīng)生成銀和水.由于電極反應(yīng),陽極的銀離子不斷向陰極還原成不連續(xù)金屬銀粒,靠水膜連接成樹狀向陽極延伸.銀離子遷移不僅發(fā)生在無機(jī)介質(zhì)表面,銀離子還能擴(kuò)散到無機(jī)介質(zhì)內(nèi)部,引起漏電流增大,嚴(yán)重時可使兩個銀電極之間完全短路,導(dǎo)致電容器擊穿.
銀離子遷移可嚴(yán)重破壞正電極表面銀層,引線焊點與電極表面銀層之間,間隔著具有半導(dǎo)體性質(zhì)的氧化銀,使無機(jī)介質(zhì)電容器的等效串聯(lián)電阻增大,金屬部分損耗增加,電容器的損耗角正切值顯著上升.

    由于正電極有效面積減小,電容器的電容量會因此而下降.表面絕緣電阻則因無機(jī)介質(zhì)電容器兩電極間介質(zhì)表面上存在氧化銀半導(dǎo)體而降低.銀離子遷移嚴(yán)重時,兩電極間搭起樹枝狀的銀橋,使電容器的絕緣電阻大幅度下降.

    綜上所述,銀離子遷移不僅會使非密封無機(jī)介質(zhì)電容器電性能惡化,而且可能引起介質(zhì)擊穿場強(qiáng)下降,最后導(dǎo)致電容器擊穿.

    值得一提的是:銀電極低頻陶瓷獨石電容器由于銀離子遷移而引起失效的現(xiàn)象比其他類型的陶瓷電容器嚴(yán)重得多,原因在于這種電容器的一次燒成工藝與多層疊片結(jié)構(gòu).銀電極與陶瓷介質(zhì)一次燒也過程中,銀參與了陶瓷介質(zhì)表面的固相反應(yīng),滲入了瓷-銀接觸處形成界面層.如果陶瓷介質(zhì)不夠致密,則水分滲入后,銀離子遷移不僅可以在陶瓷介質(zhì)表面發(fā)生,還可能穿透陶瓷介質(zhì)層.多層疊片結(jié)構(gòu)的縫隙較多,電極位置不易精確,介質(zhì)表面的留邊量小,疊片層兩端涂覆外電極時銀漿滲入縫隙,降低了介質(zhì)表面的絕緣電阻,并使電極之間的路徑縮短,銀離子遷移時容易產(chǎn)生短路現(xiàn)象.