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CT81-6KV-Y5V-182M高壓瓷片電容

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CT81-6KV-Y5V-182M高壓瓷片電容詳細(xì)參數(shù)

所屬分類(lèi):高壓瓷片電容器
產(chǎn)品型號(hào):CT81-6KV-Y5V-182M
溫度特性:Y5V
電容量:1800pF
標(biāo)準(zhǔn)偏差:M±20%
本體直徑:8.5mm
本體厚度:5mm
本體高度:11.5mm
引線間距:10mm
引線長(zhǎng)度:3~25mm
引線直徑:0.58mm
包封長(zhǎng)度:2.5mm
額定電壓:6KVDC
耐壓:9500V
更新時(shí)間:
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  • CT81-6KV-Y5V-182M高壓瓷片電容相關(guān)信息

安規(guī)電容,安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合,即電容器失效后,不會(huì)導(dǎo)致電擊,不危及人身安全。

安規(guī)電容參數(shù)特性主要如下:

一、標(biāo)稱(chēng)安規(guī)電容量和允許偏差

標(biāo)稱(chēng)安規(guī)電容量是標(biāo)志在安規(guī)電容器上的安規(guī)電容量。

安規(guī)電容器的基本單位是法拉,簡(jiǎn)稱(chēng)法(F),但是,這個(gè)單位太大,在實(shí)地標(biāo)注中很少采用。

其它單位關(guān)系如下:

1F=1000mF

1mF=1000

1=1000nF

1nF=1000

安規(guī)電容器實(shí)際安規(guī)電容量與標(biāo)稱(chēng)安規(guī)電容量的偏差稱(chēng)誤差,在允許的偏差范圍稱(chēng)精度。

精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系:00(01)-1%、0(02)-2%、Ⅰ-5%、Ⅱ-10%、Ⅲ-20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般安規(guī)電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí),根據(jù)用途選取。

二、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在安規(guī)電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標(biāo)注在安規(guī)電容器外殼上,如果工作電壓超過(guò)安規(guī)電容器的耐壓,安規(guī)電容器擊穿,造成不可修復(fù)的永久損壞。

三、絕緣電阻

直流電壓加在安規(guī)電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱(chēng)為絕緣電阻。像陶瓷安規(guī)電容器、薄膜安規(guī)電容器的話,絕緣電阻是越大越好的,而鋁電解安規(guī)電容之類(lèi)的絕緣電阻是越小越好。安規(guī)電容的時(shí)間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量安規(guī)電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù),他等于安規(guī)電容的絕緣電阻與容量的乘積。

四、損耗

安規(guī)電容在電場(chǎng)作用下,在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類(lèi)安規(guī)電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,安規(guī)電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導(dǎo)損耗和安規(guī)電容所有金屬部分的電阻所引起的。

在直流電場(chǎng)的作用下,安規(guī)電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在,一般較小,在交變電場(chǎng)的作用下,安規(guī)電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān),而且與周期性的極化建立過(guò)程有關(guān)。

五、頻率特性

隨著頻率的上升,一般安規(guī)電容器的安規(guī)電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。。

六、溫度系數(shù)

安規(guī)電容在一定溫度范圍內(nèi),溫度每變化1℃。安規(guī)電容量的相對(duì)變化值溫度系數(shù)越小越好。

安規(guī)電容廣泛應(yīng)用于各種各樣的PCB板上,與我們生活息息相關(guān)。安規(guī)電容的產(chǎn)品質(zhì)量好壞直接關(guān)系我們的生活品質(zhì)及生活安全。在選擇安規(guī)電容時(shí),請(qǐng)選擇原廠正品出產(chǎn),有各國(guó)安規(guī)認(rèn)證,品質(zhì)有保證并可安全使用。

關(guān)鍵詞:CT81電容器182M6KVDC1800pFY5V20%,高壓瓷片電容182M,CT81電容

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