● 產(chǎn)品展示

● 應用領域

● 產(chǎn)品參數(shù)

● 用途及特點

● 安規(guī)認證

● 產(chǎn)品編碼

● 規(guī)格尺寸

● 印字說明

● 溫度系數(shù)

● 材料組成

● 工藝流程

● 工廠展示

● 訂購須知

陶瓷電容器不僅可以耐高溫、耐腐蝕，而且有較高的介電常數(shù)，這對當前集成電路對電容器小型化、高容量的要求是很適宜的。電容器的性能直接取決于陶瓷介質的性能，材料介電常數(shù)越大，抗電強度越高，則小型化程度越好。因此制造廠家在圍繞提高瓷料性能和發(fā)展新材料方面競相在積極開展工作。

人們開發(fā)出使用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極的方法制成陶瓷電容，這種做法的陶瓷電容介電常數(shù)高，但損耗大。雖然介電常數(shù)高對于減小電容器的尺寸極為有利，但損耗大將會引起瓷片發(fā)熱，從而導致電容器的擊穿。

陶瓷電容器的介質損耗主要由三部分組成:

1、玻璃相中的電導損耗這部分損耗主要是由玻璃中的離子引起的電導損耗。

2、晶相中的損耗它主要是由于晶界附近的晶格容易產(chǎn)生畸變和晶格問題，因而產(chǎn)生弱聯(lián)系離子造成松池損耗。

3、結構不均勻性導致的附加夾層損耗。要降低電容器的介質損耗，主要是減小弱聯(lián)系離子和弱束縛電子，目前的技術仍在研究發(fā)展著。