高壓陶瓷電容是指應(yīng)用于高電壓系統(tǒng)的瓷介質(zhì)電容器。

高壓陶瓷電容的介質(zhì)介紹

COG/NPO：屬1類陶介質(zhì)，電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、時間、電壓的改變而改變，適用于穩(wěn)定性、可靠性要求比較嚴格的場合，由于電氣性能穩(wěn)定，高頻特性好，可很好的工作在高頻、特高頻、甚高頻頻段。

X7R：屬2類陶介質(zhì)，電氣性能較穩(wěn)定，隨溫度、時間、電壓的變化，其特性變化并不明顯，適用于要求較高的耦合、旁路、濾波電路及10MHZ的中頻場合。

Y5V：屬3類陶介質(zhì)，具有很高的介電系數(shù)，常用于生產(chǎn)小體積、大容量的電容，其容量隨溫度改變比較明顯，抗惡劣環(huán)境能力差，仍用于要求不高的濾波、旁路等電路場合。

高壓陶瓷電容的原理

用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

高壓陶瓷電容的介質(zhì)特性參數(shù)

項 目COG/NPOX7RY5V

溫度特性0+[_]30PPM/℃+[_]15[%]+30[%]--82[%]

環(huán)境溫度-55℃--+125℃-55℃--+125℃-30℃--+85℃

精度范圍C、D、F、G、J、KK、MZ

絕緣電阻IR≥10GΩ≥4GΩ≥4GΩ

損耗高校正切≥30：≤1/100000 ≤30：Q=400+20*C50V≤2.5[%]；25≤3[%] 16V≤3.5[%]；10V≤5[%]50V≤3.5[%]；25≤5[%] 16V≤7[%]；10V≤10[%]

抗電強度2.5倍W2.5倍W2.5倍W

測試條件25℃、1MHZ、1V25℃、1KHZ、1V25℃、1KHZ、03V

高壓陶瓷電容的功能特點

高壓陶瓷電容容體比很小，串聯(lián)電阻小，電感值小，頻率/容量特性穩(wěn)定。它適用于電容量小、工作頻率高（頻率可達500MHz）的場合，用于高頻濾波、旁路、去耦。但這類電容承受瞬態(tài)高壓脈沖能力較弱，因此不能將它隨便跨接在低阻電源線上，除非是特殊設(shè)計的。

CC1型(高頻低壓):材料CH(NPO)、PH(N150)、RH(N220)、SH(N330)、TH(N470)、UJ(N750)、SL(SL);容量在0.5~~~~820;

CT1型(低頻低壓):2B4(Y5P)、2E4(Y5U)、2E5(Z5U)、2F4(Y5V)、2F5(Z5V);容量在220~~22000;

CT81型(低頻高壓):2B4、2E4、2F4、2R4(Y5R);容量在100~~47000;

CC81型(高頻高壓):SL、YL(N3300);容量在10P~~560P;

CS1型(半導體類):材料:3B4、3E4、3F4,容量在10000~~220000.