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我們知道陶瓷電容是指用高介電常數(shù)的電容器陶瓷鈦酸鋇一氧化鈦擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成的電容器,它分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。而陶瓷電容是會受到熱循環(huán)影響的,那么受熱循環(huán)影響之后的損耗角正切值D會怎樣變化呢?
以102陶瓷電容為例做實驗,在熱循環(huán)試驗(周期為300秒)下,經(jīng)不同次數(shù)熱循環(huán)后,102陶瓷電容的室溫損耗角正切值D如下圖所示。
在熱循環(huán)試驗(周期為300秒)下,102陶瓷電容的耗角正切值D隨循環(huán)次數(shù)的變化曲線如下,在熱循環(huán)制度三中,陶瓷電容的損耗角正切值D與熱循環(huán)次數(shù)呈線性函數(shù)變化關(guān)系。
從上面的實驗可以看出:陶瓷電容在熱循環(huán)降溫階段,隨著溫度的下降,其損耗角正切D值D是單調(diào)遞增的;在加熱階段,隨著溫度的升高,其損耗角正切值D是單調(diào)遞減的。隨著熱循環(huán)次數(shù)的增加,陶瓷電容器的損耗角正切值D是增加的,其變化符合線性函數(shù)的變化規(guī)律。
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