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CT81-5KV-Y5P-821K高壓瓷片電容

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CT81-5KV-Y5P-821K高壓瓷片電容詳細(xì)參數(shù)

所屬分類:高壓瓷片電容器
產(chǎn)品型號(hào):CT81-5KV-Y5P-821K
溫度特性:Y5P
電容量:820pF
標(biāo)準(zhǔn)偏差:K±10%
本體直徑:10mm
本體厚度:5mm
本體高度:13mm
引線間距:10mm
引線長度:3~25mm
引線直徑:0.58mm
包封長度:2.5mm
額定電壓:5KVDC
耐壓:8000V
更新時(shí)間:
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薄膜電容器

結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似,但用聚酯、聚丙烯乙烯等低損耗素材作介質(zhì)頻率特性好,介電損耗小不能做成大的容量,耐熱能力差波濾器、積分、震蕩、定時(shí)電路。

a聚酯(滌綸)電容(CL)

電容量:40p~4u

額定電壓:63~630V

主要特點(diǎn):小體積,大容量,耐熱耐濕,穩(wěn)定性差

應(yīng)用:對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路

B聚苯乙烯電容(CB)

電容量:10p~1u

額定電壓:100V~30KV

主要特點(diǎn):穩(wěn)定,低損耗,體積較大

應(yīng)用:對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路

C聚丙烯電容(CBB)

電容量:1000p~10u

額定電壓:63~2000V

主要特點(diǎn):性能與聚苯相似但體積小,穩(wěn)定性略差

應(yīng)用:代替大部分聚苯或云母電容,用于要求較高的電路

瓷介電容器

穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器,它的一個(gè)電極就是安裝螺絲。引線電感極小,頻率特性好,介電損耗小,有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量,受振動(dòng)會(huì)引起容量變化特別適于高頻旁路。

A高頻瓷介電容(CC)

電容量:1~6800P

額定電壓:63~500V

主要特點(diǎn):高頻損耗小,穩(wěn)定性好

應(yīng)用:高頻電路

B低頻瓷介電容(CT)

電容量:10~4.7u

額定電壓:50V~500V

主要特點(diǎn):體積小,價(jià)廉。損耗大,穩(wěn)定性差

應(yīng)用:要求不高的低頻電容

獨(dú)石電容器

(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,疊合后一詞燒結(jié)成一塊不可分割的整體,外面再用樹脂包封而成小體積、大容量、高可靠和耐高溫的新型電容器,高介電常的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能,體積小,Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。

容量范圍:0.5~1UF

耐壓:二倍額定電壓。

電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定、耐高溫耐濕性好等。

應(yīng)用范圍:廣泛應(yīng)用于電子精密儀器,各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。

陶瓷電容器

陶瓷電容器就是用陶瓷作為電介質(zhì),在陶瓷基體兩面噴涂銀層,然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作極板而制成。陶瓷電容器又分為高頻瓷介電容器和低頻瓷介電容器兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩電路中,作為回路電容器。低頻瓷介電容器用在對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的 場合或工作頻率較低的回路中起旁路或隔直流作用,它易被脈沖電壓擊穿,故不能使用在脈沖電路中。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。

以上就是薄膜電容器、瓷介電容器、獨(dú)石電容器、陶瓷電容器的優(yōu)缺點(diǎn)和應(yīng)用范圍。

關(guān)鍵詞:CT81電容器821K5KVDC820pFY5P10%,高壓瓷片電容821K,CT81電容

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