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CBB21-400V-474J薄膜電容

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CBB21-400V-474J薄膜電容詳細(xì)參數(shù)

所屬分類:金屬薄膜電容器
產(chǎn)品型號(hào):CBB21-400V-474J
溫度特性:聚丙烯
電容量:0.47μF
標(biāo)準(zhǔn)偏差:J±5%
本體直徑:23mm
本體厚度:18mm
本體高度:11mm
引線間距:20mm
引線長(zhǎng)度:3~20mm
引線直徑:0.8mm
包封長(zhǎng)度:無(wú)mm
額定電壓:400VDC
耐壓:740V
更新時(shí)間:
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  • CBB21-400V-474J薄膜電容相關(guān)信息

薄膜電容代替電解電容成為市場(chǎng)趨勢(shì),金屬化薄膜電容得有了長(zhǎng)足的發(fā)展,電容的體積和重量減少3到4倍,技術(shù)也有了很大改變使薄膜電容具有的許多優(yōu)勢(shì),使薄膜電容在DC濾波上用來(lái)替代電解電容是一個(gè)趨勢(shì)。

薄膜電容的九大優(yōu)勢(shì):

①承受高電流的能力。

②抗浪涌能力強(qiáng)。

③能承受脈沖寬度上升沿和下生沿比為1.2μs:50μs 或8μs:20 μs的2.5KV尖峰電壓。

④承受高峰值電流能力,電感量小,充放電速度快。

⑤耐壓高,能承受1.5于額定電壓的過(guò)壓。

⑥無(wú)極性,能長(zhǎng)期承受反向脈沖電壓。

⑦介質(zhì)損耗小,度特性好,能在120℃下長(zhǎng)期工作。

⑧體積小,長(zhǎng)壽命,沒(méi)有酸污染。

⑨可長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)。

關(guān)鍵詞:CBB21電容器474J400VDC0.47μF聚丙烯5%,薄膜電容474J,CBB21電容

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