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CBB21-400V-823J薄膜電容

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CBB21-400V-823J薄膜電容詳細參數(shù)

所屬分類:金屬薄膜電容器
產(chǎn)品型號:CBB21-400V-823J
溫度特性:聚丙烯
電容量:0.082μF
標(biāo)準(zhǔn)偏差:J±5%
本體直徑:18mm
本體厚度:13.5mm
本體高度:7mm
引線間距:15mm
引線長度:3~20mm
引線直徑:0.8mm
包封長度:無mm
額定電壓:400VDC
耐壓:740V
更新時間:
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  • CBB21-400V-823J薄膜電容相關(guān)信息

薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。薄膜電容的損耗由什么引起的呢,多方面解析原因。

薄膜電容器的tgδ除與溫度、頻率有關(guān)外,還受其它許多因素的累響,如電壓、濕度等在一般結(jié)構(gòu)的電容器中,如不考慮電壓增大引起的電容器發(fā)熱,從而使損耗有所增大時,損耗tgδ與電壓的關(guān)系很小,但當(dāng)薄膜電容器具有夾層式極化損耗、自發(fā)極化損耗以及電離損耗寸,其tgδ將隨電壓發(fā)生顯著的變化。

薄膜電容器介質(zhì)本身或介質(zhì)與介質(zhì)及介質(zhì)與極板之間存在空隙時,當(dāng)電壓足夠高時,氣隙的電離將引起損耗tgδ迅速增大。在電離損耗中,除了由于氣隙電離引起的損耗外,還有一種所請閃躒效應(yīng)”引起的損耗。

由于工藝不佳,在極板邊緣可能會含有不連續(xù)金屬膜層和孤立的導(dǎo)電徵粒,在較高電壓作用下,它們之間會發(fā)生微放電現(xiàn)象,這就是所謂的閃爍效應(yīng)”。潮是對薄膜電容器損耗的影響也十分明顯,在潮濕環(huán)境中,電容器表面上逐漸凝結(jié)水分,形成水膜,使表面漏導(dǎo)電流增大,導(dǎo)致?lián)p耗tgδ增大。此外,當(dāng)水分子進入介質(zhì)時,會改變材料的性能,同時會增大金屬層的氧化和腐蝕,促使薄膜電容器早期失效。

關(guān)鍵詞:CBB21電容器823J400VDC0.082μF聚丙烯5%,薄膜電容823J,CBB21電容

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