薄膜電容具有無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣),介質(zhì)損失很小等優(yōu)點,基于以上的優(yōu)點,薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。那么薄膜電容介質(zhì)的耐壓損傷是怎樣的呢?
由于電容介質(zhì)中局部弱點處的損耗D值很大,在不均勻的高場強下就會產(chǎn)生很大局部熱量而損傷介質(zhì)。而施加直流電壓時,熱量僅由漏電流產(chǎn)生,尤其對于新生產(chǎn)的電容器來說,一般其絕緣電阻很高,漏泄電流很小,造成局部過熱損傷的可能性非常小。
另外如果施加的交流電壓達(dá)到起始局部放電電壓值,局部放電會每半個周期就要重復(fù)和惡化而造成局部損傷。而在直流電壓下即使有起始局部放電,要等電荷消散后重新積聚才能產(chǎn)生局部放電。綜上可以得出,流耐壓對電容介質(zhì)可能造成嚴(yán)重?fù)p傷,而直流耐壓對于薄膜電容器基本可以說是無損傷檢測,或者至少是損傷很少的檢測方法。
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