薄膜電容器的tgδ除與溫度、頻率有關外，還受其它許多因素的累響，如電壓、濕度等在一般結構的電容器中，如不考慮電壓增大引起的電容器發(fā)熱，從而使損耗有所增大時，損耗tgδ與電壓的關系很小，但當薄膜電容器具有夾層式極化損耗、自發(fā)極化損耗以及電離損耗寸，其tgδ將隨電壓發(fā)生顯著的變化。

薄膜電容器介質本身或介質與介質及介質與極板之間存在空隙時，當電壓足夠高時，氣隙的電離將引起損耗tgδ迅速增大。在電離損耗中，除了由于氣隙電離引起的損耗外，還有一種所請閃躒效應”引起的損耗。

由于工藝不佳，在極板邊緣可能會含有不連續(xù)金屬膜層和孤立的導電徵粒，在較高電壓作用下，它們之間會發(fā)生微放電現(xiàn)象，這就是所謂的閃爍效應”。潮是對薄膜電容器損耗的影響也十分明顯，在潮濕環(huán)境中，電容器表面上逐漸凝結水分，形成水膜，使表面漏導電流增大，導致?lián)p耗tgδ增大。此外，當水分子進入介質時，會改變材料的性能，同時會增大金屬層的氧化和腐蝕，促使薄膜電容器早期失效。