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CBB21-250V-564J薄膜電容

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CBB21-250V-564J薄膜電容詳細(xì)參數(shù)

所屬分類:金屬薄膜電容器
產(chǎn)品型號(hào):CBB21-250V-564J
溫度特性:聚丙烯
電容量:0.56μF
標(biāo)準(zhǔn)偏差:J±5%
本體直徑:23mm
本體厚度:16mm
本體高度:10mm
引線間距:20mm
引線長(zhǎng)度:3~20mm
引線直徑:0.8mm
包封長(zhǎng)度:無(wú)mm
額定電壓:250VDC
耐壓:462.5V
更新時(shí)間:
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薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造而成的電容器。薄膜電容在出廠前要進(jìn)行一系列嚴(yán)格的檢測(cè),電流檢測(cè)就是其中一項(xiàng),下面介紹下單片機(jī)電流檢測(cè)方法。

薄膜電容的單片機(jī)檢測(cè)法是先將待檢測(cè)的原始信號(hào)進(jìn)行變換,數(shù)據(jù)采集芯片對(duì)變換后的模擬信號(hào)進(jìn)行采樣,模數(shù)轉(zhuǎn)換,然后將轉(zhuǎn)換好的數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)揭詥纹瑱C(jī)為主組成的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)。數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)通常都由A/D轉(zhuǎn)換電路、數(shù)據(jù)緩存電路、邏輯控制電路、地址編碼器等組成。

模數(shù)轉(zhuǎn)換電路的精度由A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率來(lái)確定,數(shù)據(jù)緩存使用RAM芯片來(lái)實(shí)現(xiàn),邏輯控制由與非門(mén)等數(shù)字電路實(shí)現(xiàn),地址編碼譯碼由觸發(fā)器和緩沖/驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)。通常情況下,薄膜電容的一個(gè)同步數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)就要由多個(gè)采樣保持器與多路轉(zhuǎn)換數(shù)子開(kāi)關(guān)以及高速高分辨率AD模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器米構(gòu)成。

這種結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)采集電路結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,芯片種類也很多,一旦出現(xiàn)故障,維護(hù)過(guò)程相當(dāng)麻煩。元件的組裝、印制板的焊合以及程序的編寫(xiě)等,在頻繁開(kāi)關(guān)的高壓電磁環(huán)境下很難經(jīng)受住長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)荷工作的考驗(yàn)。

關(guān)鍵詞:CBB21電容器564J250VDC0.56μF聚丙烯5%,薄膜電容564J,CBB21電容

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