電容器中的等效串聯(lián)電阻，等效串聯(lián)電感，泄漏電阻這三個(gè)指標(biāo)是很分離但又很難區(qū)分。所以許多電子電容公司，廠家都將它們統(tǒng)一成稱為損耗因數(shù)，簡稱DF。是用來區(qū)分電容器的無效程度。損耗因數(shù)是電容周期的損耗能量和儲存能量之和。損耗因數(shù)等于介質(zhì)的功率因數(shù)或相角的余弦值。電容器在高頻損耗可化簡為串聯(lián)電阻模型，所以等效串聯(lián)電阻和總?cè)菘怪葘p耗因數(shù)就比較好估算，即DF≈ωR ESRC。

損耗因數(shù)可以理解為Q值的倒數(shù)或電容器的品質(zhì)因數(shù)，電容廠家的產(chǎn)品中，也會(huì)給出這些指示，介質(zhì)吸收，RDA，CDA：陶瓷電容器就很適合用在高頻去耦，如果考慮到它的吸收問題，陶瓷電容器就不適于采用保持放大中的電容器。介質(zhì)吸收是一種有滯后性質(zhì)的內(nèi)部電荷分布，使它快速放電后開路的電容器回復(fù)部分電荷，因?yàn)榛謴?fù)電荷的數(shù)量是原來電荷的函數(shù)，實(shí)際上這是一種電荷記憶效應(yīng)。如果把這種電容器用作采樣保持放大器中的保持電容器，那么勢必對測量結(jié)果產(chǎn)生誤差。對于這種類型應(yīng)用推薦的電容器，這類電容器介質(zhì)吸收率很低，是X2安規(guī)電容，即聚丙烯薄膜電容器、聚乙酯薄膜電容器。